美國存儲芯片巨頭美光面臨長江存儲的控訴。記者從美國加州北區(qū)地方法院公布的文件獲悉，11月9日，該法院受理了長江存儲訴美光及其子公司的專利侵權案。長江存儲稱，美光涉嫌侵犯了公司的多項3D NAND技術專利，并用于旗下的固態(tài)硬盤產(chǎn)品中。

長江存儲成立于2016年7月，總部位于湖北武漢，主攻設計、制造3D NAND閃存芯片。由于采用了自研的Xtacking（晶棧）架構，長江存儲在技術上已經(jīng)追上國外巨頭，在NAND領域，長江存儲2021年就量產(chǎn)了128層3D堆疊產(chǎn)品，232層產(chǎn)品亦開始上量。

存儲產(chǎn)品主要分為DRAM（動態(tài)隨機存儲）和NAND（閃存）兩類，前者屬于易失性存儲器，即一旦斷電存儲資料立刻流失，一般被用作內(nèi)存輔助CPU（中央處理器）進行計算；后者為非易失性存儲器，用于存儲資料，用于制造固態(tài)硬盤。

美光是存儲芯片龍頭公司，與長江存儲在NAND市場是競爭對手，據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)，2023年二季度的NAND市場，美光市場份額為13%，排名第五。在市場體量上，長江存儲與美光差距較大。

長江存儲即在起訴書中稱，美光在未經(jīng)授權的情況下使用長江存儲專利技術來與進行市場競爭，保護其市場份額，且美光未就使用上述專利支付合理費用，侵犯了長江存儲的利益，遏制了后者的創(chuàng)新動力。其還指控稱，美光在自己的專利文件中引用了長江存儲相關專利，證明美光了解長江存儲的專利組合非常重要，但美光并未采取任何實際行動尋求獲取長江存儲專利授權。

本次長江存儲主張的被侵權專利涉及到8項：US10,950,623（3D NAND存儲器件及其形成方法）、US11,501,822（非易失性存儲裝置及控制方法）、US10,658,378（三維存儲器件的直通陣列接觸 (TAC)）、US10,937,806 （三維存儲器件的直通陣列接觸 (TAC)）、US10,861,872（三維存儲器件及其形成方法） 、US11,468,957（NAND存儲器操作的體系結構和方法）、US11,600,342（三維閃存的讀取方法）、US10,868,031（多層堆疊三維存儲器件及其制造方法）。

長江存儲訴稱，美光的96層、128層、176層、232層的3D NAND存儲器，包含的技術方案均落入了長江存儲專利權的保護范圍，并被使用于美光旗下固態(tài)硬盤中。在該案件中，長江存儲訴稱，法院應禁止美光的持續(xù)侵權行為并追究責任，且由美光就損失和訴訟費用進行賠償。

此次長江存儲向美光起訴專利侵權有一定象征意義，長江存儲在起訴書中稱，目前其已是全球3D NAND技術領導者，獲得行業(yè)和第三方機構的廣泛認可，其技術創(chuàng)新改進了3D NAND的速度、性能、密度、可靠性和產(chǎn)量，使得多種電子設備創(chuàng)新成為可能。

全球范圍的專利訴訟中，科技公司之間的專利訴訟非常常見和普遍。但近年來，國際上大的專利糾紛案主要集中在通信技術領域，以該領域過往經(jīng)驗來看，“專利池”較深者，往往在專利訴訟中地位更為強勢，如高通過去數(shù)年對手機廠商的發(fā)起的專利訴訟挑戰(zhàn)，結局往往以雙方和解結束，手機廠商需向高通支付專利許可費。

實際上，芯片技術復雜性、多元化特性突出。因此在半導體行業(yè)，因專利侵權而大打官司的情況也不少見，長江存儲和美光在存儲芯片方面都擁有不少專利，雙方在專利使用上可能存在交叉。以此來看，長江存儲打官司的可能的目的是實現(xiàn)專利交叉許可，雙方可以相互使用專利，實現(xiàn)共贏。

實際上，長江存儲也在起訴書中就表示，若法院未能就美光侵犯專利下達產(chǎn)品永久禁令，則應制定相關方案，如美光向長江存儲支付專利授權費等。

對本文上述情況，美光方面對外稱，不對未決訴訟發(fā)表評論。